陶氏發表最新無研磨粒化學機械研磨 (CMP)銅 製程

台灣,台北 - September 08, 2011

因逢在台灣舉行的國際半導體展 SEMICON Taiwan,陶氏化學公司 (NYSE:DOW) 旗下之陶氏電子材料於今日發表其最新產品:化學機械研磨 (CMP)銅製程。全新製程結合陶氏化學獨家 RL3100™無研磨粒、自停 (self-stopping) 機制,以及 VisionPad™ 5000 研磨墊,提供CMP銅製程高效能、低成本的解決方案

「根據摩爾定律,半導體元件微縮需要全新的CMP製程方案,以因應主要的製造挑戰。」陶氏電子材料 CMP 研磨液研發總監余維中博士表示。「我們的研究與應用團隊直接與客戶合作,確保本公司的 CMP 解決方案,符合 IC 製造商對下一世代元件的需求。這一全新無研磨粒CMP製程是以此需求為發展基礎。由於其所提供顯著的製程優勢及成本效益,而引起業界很大的關注。」

陶氏的 RL3100™ + VisionPad™ 5000 研磨墊CMP銅製程具有以下技術優勢:

  • 在不同的線寬與線譜密度下,均可產生low-dishing 及no-erosion
  • 高銅研磨速率(high Cu rate) 、銅表面清除能力、更具有對於阻絕層(barrier)與介電層(dielectric films)的極高選擇比
  • 高良率、嚴格的Rs控制、高產能、以及寬大的製程窗口

其他含有研磨粒的研磨液,一般會形成erosion或刮痕(scratching) , RL3100™ 獨特的無研磨粒特性可以將缺陷降到最低,已達成更高的良率。此外RL3100™的稀釋能力,減免研磨墊的清洗及研磨墊conditioning的減低,進而增加研磨墊的使用壽命,這些都是RL3100™提供低成本的解決方案。

經實際生產測試,陶氏的獨家無研磨粒解決方案科已獲 90–45 奈米 300 mm 高產量製造商採用超過三年。同時,此一新世代無研磨粒解決方案也被領先的 IDM(整合元件廠)選為 14 奈米節點的記錄製程(process of record),以及獲主要晶圓代工廠選為28 奈米。

欲了解陶氏的最新 CMP 與微影產品,請至國際半導體展 SEMICON Taiwan 1252 號陶氏電子材料展位參觀,展出期間為 2011 年 9 月 7 日至 9 日,地點位於台灣台北世貿中心。

關於陶氏化學

陶氏運用科學、技術以及「以人為本」的力量不斷改進、推動人類進步。將永續發展的原則貫徹於化學與創新,幫助全球許多企業解決具有挑戰性的問題,例如潔淨的用水、可回收的能源生成與保護,並提升農業生產力。陶氏擁有許多領先業界的產品,包括特殊化學材料、高階材料、農業生技以及塑膠業,為超過 160 個國家的客戶與各高成長產業部門(例如電子、水、能源、塗料以及農業)提供廣泛的科技產品與解決方案。2010 年,陶氏的年銷售額為 537 億,全球擁有近 50,000 名員工。公司擁有超過 5,000 種產品,於全球 35 國中的 188 個製造站生產。任何提及「陶氏」或「本公司」之用詞代表陶氏化學公司以及附屬公司,除非另行標註。可於 www.dow.com 網站上查看更多陶氏的相關資訊。

關於陶氏電子材料

陶氏電子材料為全球電子業材料與科技的供應商,為半導體、互聯、完成、太陽能光電、顯示器、發光二極體與光學市場的科技創新領導者。全球的高階科技中心皆延攬陶氏研究科學家與應用專家,他們與客戶緊密合作,為次世代的電子科技帶來不可或缺的解決方案、產品與技術服務。這些合作關係即為推動陶氏不斷革新與發明的動力。主要的終端應用廣泛包含消費性電子用品,從個人電腦到電視螢幕、手機、全球定位系統、自動車安全系統以及航空電子技術。


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