Dow エレクトロニック・マテリアルズ
最先端リソグラフ技術

ダウ・エレクトロニック・マテリアルズは半導体マイクロリソグラフィ技術の高度化を推進 する画期的な化学的ソリューションとなる広汎な製品構成の開発、製造、供給に取り組 んでいます。弊社の材料は次世代メモリーと論理チップに対するお客様ならびにユーザ ーの要件を満たすために半導体デバイスの性能を改善します。ダウのリソグラフィ材料 により今日消費者が使用しているタブレット、スマートフォン、ならびに携帯型および装 着型デバイスなどのモバイル技術革新と広範囲にわたる携帯デバイスが実現されます。

リソ技術製品構成:

レジスト下層

SOC/Gap Fill
  • oBARC
    • Dow AR™ Fast Etch
  • ギャップフィル
  • SOC /下層
  • DSA-ブラシ

レジスト

Resist (193/248)
  • ArF (193 nm)
  • KrF (248 nm)
  • g線
  • EUV
  • DSA-BCPs

レジスト上層

Topcoat (PTD/NTD)
  • トップコート

パターンエンハンスメント

Pattern Enhancement
  • トリミング(ライン)
  • シュリンク(C/H)